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基于氘氘(D-D)和氘氚(D-T)反应的加速器中子源通常被称为中子发生器,分别可产生约2.5 MeV (D-D)和14.5 MeV(D-T)的快中子,是重要的单能中子源,可广泛应用于中子物理和中子应用技术的研究.D-D/D-T反应在低的氘束流能量下具有高的反应截面,因此可以利用小型低能加速器加速D束流实现高的中子产额.20世纪60年代问世的强流中子发生器体积较大,通常固定安装在实验室中,主要用于开展中子物理和中子应用技术基础研究.兰州大学于1988年成功研制了D-T中子产额达到1012 n/s量级的强流中子发生器,其技术指标进入了国际先进行列.发展较早的另一类中子发生器被称为密封中子管,密封中子管在石油测井领域的应用十分成功,但因其结构所限及使用微型潘宁离子源,中子产额偏低,且为一次性真空密封元件,寿命短,使用成本高,限制了在其他中子应用技术领域的广泛应用. 相似文献
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