排序方式： 共有2条查询结果，搜索用时 15 毫秒
1
1.
为使∑-△小数频率合成器获得低带内相位噪声,在设计中调制器采用一种5阶4bit输出的单环∑-△调制器,比3阶MASH(Multi-stAge noise-SHaping)结构有着更低的带内量化噪声.一款具有低带内相位噪声和快速锁定特点的2.6GHz∑-△小数频率合成器在0.25μmCMOS工艺中实现.测试结果显示,该频率合成器在40KHz频率偏移处相噪-86.5dBc/Hz,杂散小于-65dBc.在2.5V的电源供电下,电流为25.5mA,整个芯片面积3.9mm2(核心电路面积0.63mm.). 相似文献
2.
为使Σ-Δ小数频率合成器获得低带内相位噪声,在设计中调制器采用一种5阶4bit输出的单环Σ-Δ调制器,比3阶MASH(Multi-stAge noise-SHaping)结构有着更低的带内量化噪声.一款具有低带内相位噪声和快速锁定特点的2.6GHz Σ-Δ小数频率合成器在0.25μm CMOS工艺中实现.测试结果显示,该频率合成器在40KHz频率偏移处相噪-86.5dBc/Hz,杂散小于-65dBc.在2.5V的电源供电下,电流为25.5mA,整个芯片面积3.9mm2(核心电路面积0.63mm2). 相似文献
1