排序方式: 共有13条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
董鸿飞 《赤峰学院学报(自然科学版)》2010,26(11):10-11
本文简要描述了正六边形旋转对称群——D6群,通过对正六边形的旋转运动的分析,得到正六边形的旋转对称群的群表,并对正六边形旋转对称群的性质进行了分析,列出D6群的特征表. 相似文献
2.
董鸿飞 《赤峰学院学报(自然科学版)》2018,(9)
本文使用IBM(相互作用玻色子)模型对偶偶核_(48)~(98)Zr进行了研究.拟合了_(48)~(98)Zr核的低能谱的谱带,计算了_(48)~(98)Zr核的低能谱的电磁跃迁,分析了部分态的波函数和哈密顿量.计算结果表明理论计算与实验值符合较好.数据分析表明_(48)~(98)Zr是具有U(5)振动极限到SU(3)转动极限之间的过渡核. 相似文献
3.
采用E-GOS方法对70-80Se偶偶核形状相变进行了研究,计算实验数据并做出了六个核的E─GOS曲线. 相似文献
4.
本文采用E-GOS方法对^78-86 38Sr偶偶核形状相变进行了研究。计算实验数据并做出了七个核的E—GOS曲线. 相似文献
5.
6.
董鸿飞 《赤峰学院学报(自然科学版)》2011,(12)
本文采用E—GOS方法对偶偶核96~104^ 44Ru形状相变进行了研究.研究表明,这些核素都是U(5)-Su(3)的过渡核,且都趋于U(5)极限。单粒子激发对区域偶偶核形状相变有重要影响. 相似文献
7.
本文结合建筑类高等职业教育的特点与高等职业物理教学的主要内容,对建筑类高等职业教育中物理教学改革的基本思路提出几点想法. 相似文献
8.
董鸿飞 《赤峰学院学报(自然科学版)》2011,(12):7-9
本文采用E—GOS方法对偶偶核96~104^ 44Ru形状相变进行了研究.研究表明,这些核素都是U(5)-Su(3)的过渡核,且都趋于U(5)极限。单粒子激发对区域偶偶核形状相变有重要影响. 相似文献
9.
讨论了两种半导体异质结构中负施主中心(D)能量随磁场的变化情况,计算中利用变分的方法,分析磁场中的电子结构,得到描述电子内外轨道参量随磁场的变化情况,计算此异质结构中负施主角动量L 1三重态的本征能量和束缚能,发现L 1三重态在外加磁场0.053时实现了由非束缚态到束缚态的转变。同时计及电子与界面声子的相互作用,数值计算并对比了界面声子对CdSe(ZnSe)和GaAs(GaP)半导体异质界面上D的束缚能的影响。 相似文献
10.
讨论了Ⅲ-Ⅴ族半导体异质界面上负施主中心的能量随磁场的变化情况,计算中利用变分的方法,得到描述电子内外轨道参量随磁场的变化情况,同时计及电子与界面声子的相互作用,计算此界面上负施主角动量L=-1三重态的本征能量和束缚能.研究表明界面声子对施主能量的影响显著. 相似文献