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采用VHF-PECVD技术制备了两个气压系列不同生长阶段的微晶硅薄膜,通过椭圆偏振技术研究了生长过程中微晶硅薄膜表面粗糙度的演化.实验结果表明：沉积气压Pg=70 Pa时,生长指数β=0.22±0.023,对应有限扩散生长模式;Pg=300 Pa时,β=0.81±0.099,其超出标度理论中β最大值为0.5范围,出现异常标度行为,表明：在微晶硅薄膜生长中还要考虑其它粗糙化因素（如阴影作用会增加薄膜表面的粗糙化程度,使生长指数β增大）. 相似文献
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采用原位椭圆偏振法测量Mn在Au电极上阴极恒电流沉积过程,分别建立单层膜模型和有效介质膜模型对椭圆偏振测量参数进行拟合。解析结果发现,均方差值(MSE)不是唯一判断的依据,结合扫描电镜结果得到单层膜模型更适合模拟Mn恒电流沉积的动态过程,由单层膜模型可推测Mn的沉积过程为逐层沉积。由于Mn的消光影响,椭圆偏振技术只适合沉积初始阶段的原位测量。 相似文献
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采用原位椭圆偏振光谱技术表征了六氰合铁酸锰铬膜（MnCrHCF／Pt）修饰电极。并比较了原位掠射椭圆偏振法、原位反射椭圆偏振法和循环伏安法表征此修饰电极的异同,发现此三种方法在表征修饰电极上有相似之处。 相似文献
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何龙庆 《南京晓庄学院学报》2012,(6):26-30
作者利用光学实验中的常规仪器完成了椭偏法测量薄膜的厚度与折射率,探讨了减小误差,提高测量精度的措施.文中还对文献[2]中某些易于产生困惑之处做了分析并给出了合理的解释. 相似文献
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分光计的调整对椭圆偏振仪测量薄膜厚度和折射率的影响 总被引：3，自引：0，他引：3
该文用了两个不同的薄膜样品，在两台不同的分光计上，用不同的入射角对薄膜的厚度和折射率进行了测量，并通过比较实验结果，说明了在用椭圆偏振仪测量薄膜厚度和折射率的实验中，分光计的调整对实验结果的影响是可以忽略的。 相似文献