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以硅酸钠为硅源,蔗糖为碳源,硫酸为催化剂,采用溶胶-凝胶法和碳热还原反应合成碳化硅(Si C),并用X射线粉末衍射(XRD)、N2吸附-脱附和场发射扫描电子显微镜(FESEM)等手段对产物进行表征。实验结果表明,碳化硅试样具有典型的介孔材料特征,改变硫酸与蔗糖添加量可以调控和优化产物结构;当反应物配比n(C):n(Si):n(S)=3.00:1:0.44时,可制得比表面积为235 m2·g-1、孔体积为0.46 cm3·g-1的碳化硅。 相似文献
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塔式精馏炉在铅锌冶炼过程中承担着净化分离的重要任务,其产品铅纯度可达99.999%以上,锌在99.995%以上。精馏炉最重要的部分莫过于碳化硅塔体,其耐用程度直接影响到炉体的寿命。而就塔体砌筑质量和使用过程中出现的问题而言,最重要最容易出问题的莫过于塔盘灰缝。 相似文献
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童和平 《广东广播电视大学学报》2014,(1)
基于集群磁流变效应超光滑平面抛光理论及试验装置对单晶碳化硅基片进行了平面抛光试验,结果表明,金刚石磨料对单晶SiC基片具有较高的材料去除率;加工间隙在1.5mm左右具有较好的加工效果,随着加工时间的延长表面粗糙度越来越小,且30min内表面粗糙度变化率达到89%以上。通过优化工艺参数对单晶SiC进行集群磁流变平面抛光,发现经过30min加工,表面粗糙度Ra从42.1nm下降到4.2nm,表明集群磁流变效应平面抛光用于加工单晶SiC基片可行且效果显著。 相似文献
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现代电力电子器件的现状与发展浅析 总被引：1，自引：0，他引：1
简单回顾了电力电子技术及电力电子器件的发展过程,介绍了IGBT,IGCT,IPEM等主流现代电力电子器件的工作原理、现状和发展动态,探讨了新型材料电力电子器件及其发展方向. 相似文献
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本文采用亚微米级碳化硅细粉,加入少量合适的烧结添加剂,用干压成型及无压烧结这两个简单易行的工艺制备出碳化硅陶瓷样品,研究了不同烧结温度工艺下碳化硅陶瓷烧结体的密度：通过对烧结体密度的测量,烧失率和线收缩率的计算及显微组织形貌的观察发现,当添加了适当含量烧结助剂碳和硼时,烧结温度约为2200℃时碳化硅陶瓷有最大的密度,约为2170℃时有最小的烧失率,为2130℃时,线收缩率最小。随着烧结温度升高,碳化硅陶瓷烧结体的微孔数量呈下降趋势,烧结体微孔的深浅程度呈上升趋势。 相似文献
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碳化硅质量对微波加热的影响 总被引：2，自引：0，他引：2
本文主要研究了碳化硅的质量对微波加热升温速度的影响。结果表明,碳化硅试样的质量过大或过小,其平均升温速度均较小,只有当试样质量在某一适范围内,平均升温速度可达最大值;同时还表明,在低温阶段,碳化硅试样质量越小,升温越快,高温阶段,质量越小升温越慢。 相似文献
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为了研究单点常导电磁悬浮系统的系统结构和控制算法,该文设计一套小型实验装置。针对现有悬浮斩波器输出的电流纹波较大和悬浮损耗较高等问题,使用第三代功率半导体SiC MOSFET优化悬浮斩波器,实现高开关频率和低开关损耗。实验结果表明,基于SiC MOSFET的悬浮斩波器可有效降低电流纹波并减小功率损耗。单点常导电磁悬浮实验涉及自动控制原理、电力电子技术、模拟电路、数字电路等多门学科,该装置可作为自动控制原理和电力电子技术的实验教学装置,帮助本科生深入课程内容和提升实践动手能力。 相似文献