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| 用离子束增强沉积法制备In-N共掺杂ZnO薄膜 | |
| 作者姓名： | 金铱 谢建生 李金华 袁宁一 |
| 作者单位： | 常州大学,江苏,常州,213016 |
| 摘 要： | 用In2O3粉体与ZnO粉体均匀混合,压制成溅射靶.在Si和SiO2/Si衬底上,用离子束增强沉积(IBED)方法对沉积膜作Ar+/N+注入,制备In-N共掺杂氧化锌薄膜.在氮气氛中作适当的退火,可以方便地获得取向单一、结构致密、性能良好的共掺杂ZnO薄膜.初步研究了INZO共掺杂薄膜的电阻率随退火条件的变化. |
| 关 键 词： | 氧化锌薄膜 退火 离子束增强沉积 |
Zinc Oxide Films Co-Doped with Indium and Nitrogen Prepared by IBED Method |
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| Authors: | JIN Yi XIE Jian-sheng LI Jin-hua YUAN Ning-yi |
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