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| 光—电子复合CVD法制备金刚石薄膜装置初探 | |
| 引用本文： | 孙大林,孙大河.光—电子复合CVD法制备金刚石薄膜装置初探[J].牡丹江教育学院学报,2003(2). |
| 作者姓名： | 孙大林 孙大河 |
| 作者单位： | 牡丹江林业机械厂，柴河林业局第四中学 黑龙江 牡丹江 157000，黑龙江 海林 157100 |
| 摘 要： | 我们知道,在众多的CVD金刚石薄膜的合成方法中,热丝CVD法具有研制设备简单,实验参数易于控制,生长面积大等优点,是距产业化应用较近的一种制备技术。但该方法存在着生长速度低、质量差、制备成本较高的不足。而光—电子复合CVD法制备金刚石薄膜则可以大幅度地提高膜的生长速度和质量,并降低制备成本。光—电子复合CVD法使CVD法金刚石薄膜具有实用价值,形成产业技术,但同时需要解决生长厚薄、生长速度、冷却、密封、质量等一系列问题。 |
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