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用正电子研究镍在γ-Al_2O_3表面上的分散状态
引用本文:毕翱翔,康婷霞,朱俊.用正电子研究镍在γ-Al_2O_3表面上的分散状态[J].中国科技信息,2010(4):32-34.
作者姓名:毕翱翔  康婷霞  朱俊
作者单位:武汉大学物理科学与技术学院,430072
摘    要:用浸渍法制备了一系列不同担载量的负载型镍催化剂,并经不同温度下烘烤1小时后得到Ni/γ-Al2O3样品。分别用热分析(DTA/TG)、正电子湮没谱学等方法来表征镍在多孔氧化铝(γ-Al2O3)表面的分散特性。实验表明,在浸渍法制得的样品中,镍均匀分散于载体表面,在烘烤温度达到320℃时获得活性;在更高的烘烤温度下镍会向体内中扩散,使有效活性减少。

关 键 词:浸渍    γ-Al2O3  正电子湮没谱学
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