| 含氮氟化非晶碳（a-C：F：N）薄膜电学性能的研究 |
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| 引用本文： | 周昕.含氮氟化非晶碳（a-C：F：N）薄膜电学性能的研究[J].株洲师范高等专科学校学报,2007,12(5):8-10. |
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| 作者姓名： | 周昕 |
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| 作者单位： | 湖南工业大学师专校区物理与电子工程系,湖南株洲412007 |
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| 摘 要： | 用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）法制备氮掺杂氟化非晶碳（a-C：F）薄膜，用电桥测试薄膜的介电常数．研究不同工艺参量对薄膜电学性能的影响．结果表明：掺杂氮、高射频功率、高沉积温度以及热退火都导致薄膜介电常数上升．
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| 关 键 词： | 氟化非晶碳薄膜 氮掺杂 介电常数 |
| 文章编号： | 1009-1432（2007）05-0008-03 |
| 修稿时间： | 2007-05-08 |
Electrical Properties of Nitrogen Doping Fluorinated Amorphous Carbon Thin Films |
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| ZHOU Xin.Electrical Properties of Nitrogen Doping Fluorinated Amorphous Carbon Thin Films[J].Journal of Zhuzhou Teachers College,2007,12(5):8-10. |
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| Authors: | ZHOU Xin |
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| Institution: | Department of Physics and Electronic Engineering, Zhuzhou Teachers College of Hunan University of Technology, Zhuzhou Hunan 412007, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | fluorinated amorphous carbon thin films nitrogen dopings dielectric constant |
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