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| 我国纳米技术领域对外专利申请现状分析与发展建议 | |
| 引用本文： | 尹俊峰,王义刚.我国纳米技术领域对外专利申请现状分析与发展建议[J].中国发明与专利,2012(12):44-47. |
| 作者姓名： | 尹俊峰 王义刚 |
| 作者单位： | 国家知识产权局专利局专利审查协作北京中心材料部 |
| 摘 要： | 由于纳米技术的快速发展，近年来该领域专利申请量激增。为了对纳米技术领域的专利申请进行科学高效的分类，世界知识产权组织确定了B82Y为该领域新的IPC分类号。本文旨在利用该新的分类体系，对我国申请人在国外的该领域专利申请状况进行统计分析，从专利申请的年代分布、技术主题分布、主要申请人分布等方面，与其他国家的情况进行对比，分析我国在纳米技术领域的优劣势。经过分析发现，我国在纳米技术领域的研究水平已进入世界先进行列，与之不对称的是，我国申请人在该领域的国外专利申请量与日、韩等国差距较大。最后笔者对我国纳米技术领域的发展提出了建议。 |
| 关 键 词： | 纳米技术 专利分布 IPC PCT |
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