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磁场对不同半导体异质结构负施主中心的影响
引用本文:张晓燕,董鸿飞.磁场对不同半导体异质结构负施主中心的影响[J].集宁师专学报,2011,33(4):7-9.
作者姓名:张晓燕  董鸿飞
作者单位:1. 内蒙古工业大学,理学院物理系,内蒙古,呼和浩特,010051
2. 内蒙古赤峰学院,建筑与机械工程学院,内蒙古,赤峰,024000
摘    要:讨论了两种半导体异质结构中负施主中心(D)能量随磁场的变化情况,计算中利用变分的方法,分析磁场中的电子结构,得到描述电子内外轨道参量随磁场的变化情况,计算此异质结构中负施主角动量L 1三重态的本征能量和束缚能,发现L 1三重态在外加磁场0.053时实现了由非束缚态到束缚态的转变。同时计及电子与界面声子的相互作用,数值计算并对比了界面声子对CdSe(ZnSe)和GaAs(GaP)半导体异质界面上D的束缚能的影响。

关 键 词:施主中心  束缚能  电子-声子相互作用

The magnetic effect for negative donor in different hetero-structures
Zhang Xiao-Yan , Dong Hong-Fei.The magnetic effect for negative donor in different hetero-structures[J].Journal of Jining Teachers College,2011,33(4):7-9.
Authors:Zhang Xiao-Yan  Dong Hong-Fei
Institution:1 .Department of physics, Inner Mongolia University of Technology, Hohhot 010051, China; 2. Architecture and mechanical engineering school, Chifeng College, ChiFeng 024000, China)
Abstract:A theoretical study of the negative-donor center at the hetero-interface of different kinds of polar crystals in a magnetic field is presented. The binding energy of a spin triplet state of the Dcenter is calculated by a variational approach. The polaron correction to the D- state is discussed. Numerical results are produced for the heterostructure of CdSe(ZnSe) and GaAs(GaP).
Keywords:donor center  binding-energy  electronphonon interaction
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