| 0.35μm SiGe BiCMOS 10Gb/s激光驱动芯片设计(英文) |
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| 引用本文： | 吴松昌,冯军,章丽,李伟.0.35μm SiGe BiCMOS 10Gb/s激光驱动芯片设计(英文)[J].东南大学学报,2009,25(3):309-312. |
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| 作者姓名： | 吴松昌 冯军 章丽 李伟 |
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| 作者单位： | 东南大学射频与光电集成电路研究所,南京,210096 |
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| 基金项目： | The National High Technology Research and Development Program of China(863 Program)(No.2006AA01Z284) |
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| 摘 要： | 讨论一款基于SiGe BiCMOS工艺工作速率为10 Gb/s激光驱动芯片的设计.该激光驱动芯片包括输入缓冲、驱动放大电路和输出级电路3个部分.输入缓冲、驱动放大电路采用电流模电路,满足高速数据传输和放大的能力.输出级电路结构采用新型的MOS-HBT共源共栅结构可以降低米勒效应减小输入电容,从而使激光驱动芯片工作在10 Gb/s时也能达到良好的性能.主电路电源电压为3.3 V,输出级电路供电电压为5.5 V,确保激光器有足够的电压摆幅.芯片总面积(包括焊盘)为600μm×800μm,,测试表明当输入10 Gb/s的非归零随机码,输出级电源电压为5.5 V时,电路总功耗为660 mw,在50 Ω负载上可以提供3 V的驱动电压(相应的驱动电流为60mA).测试眼图清晰,可以很好地满足SDH STM64/SONNET OC192和10 Gb/s以太网的模板要求.
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| 关 键 词： | 激光驱动芯片 MOS-HBT结构 锗硅BiCMOS工艺 |
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