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| Co掺杂的ZnO基稀磁半导体薄膜的制备 | |
| 引用本文： | 李博睿,官文杰.Co掺杂的ZnO基稀磁半导体薄膜的制备[J].大众科技,2010(8):108-109,96. |
| 作者姓名： | 李博睿 官文杰 |
| 作者单位： | 武汉大学物理学院,湖北武汉,430072 |
| 摘 要： | 采用PLD方法制备了5at.%Co掺杂的ZnO0.95 Co0.05O薄膜,以及Co,Al共掺杂的样品,并对其进行了电学及磁学性质测量,发现ZnO:Co薄膜具有室温铁磁性,同时有着优异的透光特性及良好的导电性,有着集成磁光电特性与一体的潜质。Co,Al共掺杂的样品饱和磁矩有较为明显的增强,说明样品的铁磁性可能来源于载流子浓度的增加。 |
| 关 键 词： | 稀磁半导体 ZnO 载流子浓度 |
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