碳化硅陶瓷的制备及烧结温度对其密度影响的研究 |
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引用本文: | 楼挺挺,董亚明.碳化硅陶瓷的制备及烧结温度对其密度影响的研究[J].内江科技,2009,30(2):94-95. |
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作者姓名: | 楼挺挺 董亚明 |
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作者单位: | 上海师范大学生命与环境科学学院 |
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摘 要: | 本文采用亚微米级碳化硅细粉,加入少量合适的烧结添加剂,用干压成型及无压烧结这两个简单易行的工艺制备出碳化硅陶瓷样品,研究了不同烧结温度工艺下碳化硅陶瓷烧结体的密度:通过对烧结体密度的测量,烧失率和线收缩率的计算及显微组织形貌的观察发现,当添加了适当含量烧结助剂碳和硼时,烧结温度约为2200℃时碳化硅陶瓷有最大的密度,约为2170℃时有最小的烧失率,为2130℃时,线收缩率最小。随着烧结温度升高,碳化硅陶瓷烧结体的微孔数量呈下降趋势,烧结体微孔的深浅程度呈上升趋势。
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关 键 词: | 无压烧结 碳化硅 陶瓷 烧结温度 |
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