| CV法测缓变PN结杂质浓度分布的研究 |
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| 引用本文： | 肖湘萍.CV法测缓变PN结杂质浓度分布的研究[J].贵州教育学院学报,2001,12(4):20-23. |
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| 作者姓名： | 肖湘萍 |
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| 作者单位： | 贵州教育学院数学系!贵州贵阳550003 |
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| 摘 要： | 在各种测量杂质浓度分布的方法中 ,CV法因其快速、容易 ,对材料无损伤而被广泛采用 ,在本文中我们将研究其在缓变P -N结中的应用。
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| 关 键 词： | C-V特性 杂质浓度 唯一性 缓变分布 |
| 文章编号： | 1002-6983(2001)04-0020-04 |
| 修稿时间： | 2001年5月8日 |
The use of C-V technique in slowing distribution of P-N junction |
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| XIAO Xiang,ping.The use of C-V technique in slowing distribution of P-N junction[J].Journal of Guizhou Educational College(Social Science Edition),2001,12(4):20-23. |
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| Authors: | XIAO Xiang ping |
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| Abstract: | Among various techniques to determine the dopant profile of a semicondctor, the C-V technique has been widely used because it is fast,non-destructive and easy to implement. In this paper, we discuss the use of C-V technique in slowing the distribution of P-N junction. |
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| Keywords: | C-V characteristic dopant profiling uniqueness slow distribution |
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