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半导体超晶格、微结构的研究
引用本文:
王启明.半导体超晶格、微结构的研究[J].中国科学院院刊,1987(2):109-113.
作者姓名:
王启明
作者单位:
中国科学院半导体研究所 所长
摘 要:
60年代后期,美国Bell实验室和IBM公司的华裔学者卓以和、张立纲首先提出,利用在超高真空中(10~(-9) ~10~(-11)托)分子运动的喷射效应(自由程可达100厘米以上)来进行分子尺度超薄层材料外延生长,即今天人们称之为分子束外延或MBE(Molecular Beam Epitaxial)技术。MBE技术的成功,使得在各种基底材料上任意地生长出厚度为原子(或分子)尺度量级的
关 键 词:
激子
超晶格微结构
半导体超晶格
量子阶激光器
光双稳
空穴
AIGaAs
光通信
阶壁
光电子器件
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