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| 一种射频大功率放大器电源偏置电路设计方法（英文） | |
| 引用本文： | 沈明,耿波,于沛玲.一种射频大功率放大器电源偏置电路设计方法（英文）[J].中国科学院研究生院学报,2006,23(1):77-82. |
| 作者姓名： | 沈明 耿波 于沛玲 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院研究生院,北京,100049;中国科学院空间科学与应用研究中心,北京,100080 2. 中国科学院研究生院,北京,100049 3. 中国科学院空间科学与应用研究中心,北京,100080 |
| 基金项目： | supported by Innovation Program of Chinese Academy of Sciences(240821S) |
| 摘 要： | 设计射频大功率放大器时，为了传输大的电源电流而加宽的λ/4电源偏置微带线往往不能很好的对偏置电路和信号电路进行隔离，从而影响放大器的性能。本文对一种采用加厚微带线设计λ/4电源偏置电路的方法进行了分析，并根据一种卫星数传发射机的功率放大器设计要求，分别采用本文介绍的方法和传统方法设计了两个功率放大器，给出了分析和试验结果，结果表明加厚λ/4偏置微带线可以比传统方法令功率放大器获得更高的性能，具有较大参考意义。 |
| 关 键 词： | 功率放大器 偏置电路 小信号S参数 功率附加效率PAE |
| 文章编号： | 1002-1175(2006)01-0077-06 |
| 修稿时间： | 2005年2月17日 |
A RF High Power Amplifier Bias circuits Design Technique |
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| SHEN Ming,GENG Bo,YU Pei-Ling.A RF High Power Amplifier Bias circuits Design Technique[J].Journal of the Graduate School of the Chinese Academy of Sciences,2006,23(1):77-82. | |
| Authors: | SHEN Ming GENG Bo YU Pei-Ling |
| Institution: | 1. Graduate School of Chinese Academy of sciences, Beijing 100080;
2. Center for Space Science and Applied Research, Beijing 100080 |
| Abstract: | In the process of designing RF high power amplifier (HPA), the broadened microstrip λ/4bias line for high DC current decreases the performance of the HPA. In this article, a thickened microstrip line is proposed to design the λ/4 drain bias circuit for HPA and is applied to a power amplifier for a miniaturized satellite transmitter. Measurement results showed that the thickened bias line is feasible and useful for increasing HPA's performance. |
| Keywords: | power amplifier bias circuit small signal S parameter power added efficiency (PAE) |
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