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| 紫外光辅助化学汽相沉积在InSb焦平面探测器中的应用 | |
| 引用本文： | 李小宏.紫外光辅助化学汽相沉积在InSb焦平面探测器中的应用[J].内江科技,2012(7):100+95. |
| 作者姓名： | 李小宏 |
| 作者单位： | 中国空空导弹研究院,河南洛阳,471009 |
| 摘 要： | 本文系统描述了利用紫外光辅助化学汽相沉积（UVCVD）技术在InSb芯片背面减薄抛光后沉积SiO2薄膜,作为减反膜以减少芯片表面对红外光的反射。通过测量SiO2薄膜的光谱透过率,并利用红外焦平面测试系统测试SiO2膜对器件性能的影响,表明UVCVD沉积的SiO2膜具有良好的增透效果和均匀性,能有效提高InSb焦平面器件的性能。 |
| 关 键 词： | 紫外光辅助化学汽相沉积 SiO2膜 减反 |
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