| 新型双齿可变磁通记忆电机电磁性能分析北大核心 |
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| 引用本文： | 张晨光,刘旭.新型双齿可变磁通记忆电机电磁性能分析北大核心[J].实验技术与管理,2020(8):58-61. |
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| 作者姓名： | 张晨光 刘旭 |
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| 作者单位： | 1.河北工业大学省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室300130;2.河北工业大学河北省电磁场与电器可靠性重点实验室300130; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(51507045)；天津自然科学基金资助项目(16JCYBJC00)；河北省自然科学基金资助项目(E2018202252)；河北省人社厅资助项目(E201b100004)。 |
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| 摘 要： | 针对传统可变通记忆电机(variable flux memory machine,VFMM)电磁转矩性能低的问题,提出了一种新型双齿可变磁通记忆电机。首先介绍了新型双齿VFMM的拓扑结构和工作原理;随后应用2-D有限元分析方法,对比分析了新型双齿VFMM与传统单齿VFMM在低矫顽力(low coercive force,LCF)永磁体处于不同磁化状态下的空载特性,并对比了增磁状态下的电磁转矩;最后分析了双齿VFMM的转矩/转速和功率/转速特性。相对于传统单齿的可变磁通记忆电机而言,双齿可变磁通记忆电机的调磁系数增加了1倍多,相同电流下的电磁转矩提高了21.8%。结果表明:新型双齿VFMM具有良好的调磁性能和较大的输出转矩能力。
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| 关 键 词： | 双齿可变磁通记忆电机 电磁性能 转矩/转速特性 |
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