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| H3Si^＋（＋1,1）小分子配合物理论浅析 | |
| 引用本文： | 李衍飞,徐衍银.H3Si^＋（＋1,1）小分子配合物理论浅析[J].泰安师专学报,2001,23(3):73-75. |
| 作者姓名： | 李衍飞 徐衍银 |
| 作者单位： | [1]泰安师专化学系，山东泰安271000 [2]泰安化工技校 |
| 摘 要： | 通过对H3Si^ 及H3Si^ 配合CO、N2形成“超分子”化合物的稳定构型进行全优化，得出H3Si^ 是平面型结构，H3Si^ AB是锥形结构，其中，Si-C,Si-N键接近于单键。计算得出H3Si^ 及其与CO、N2所得产物均具有较负的稳定化能，证实了H3Si^ 与CO、N2形成稳定化合物的可能性。分析Si-C,Si-N键的形成机理及键价轨道问题，探讨了其成键规律性。 |
| 关 键 词： | 稳定化能 电子转移 集居数分析 振动频率 硅化合物 MP2法 H3Si^＋ 化学键 电子排布 分子轨道 配位结构 |
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