| ^40Ar^10＋协激发半导体功能材料P-Si表面的激发光谱 |
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| 引用本文： | 张小安,王翔.^40Ar^10＋协激发半导体功能材料P-Si表面的激发光谱[J].咸阳师范学院学报,2005,20(2):13-15. |
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| 作者姓名： | 张小安 王翔 |
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| 作者单位： | [1]咸阳师范学院物理学系，陕西咸阳712000／／中国科学院近代物理研究所，甘肃兰州730000 [2]咸阳师范学院物理学系，陕西咸阳712000 |
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| 基金项目： | 科技部重大基础研究前期研究专项基金(批准号:2002CCA00900)
国家自然科学基金资助项目(批准号: 10274088)
陕西省教育厅专项基金资助项目。 |
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| 摘 要： | 报道了用ECR离子源的高电荷态离子^40Ar^10 入射到P型Si表面的实验研究，通过实验测量到的Si原子和Si^2 离子的200nm-1000nm光谱，研究了谱线产生的机理，实验结果表明：低速高电荷态离子与固体表面相互作用中，可有效地激发原子和离子的特征谱线，分析了这一现象和相互作用过程的发光机理。
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| 关 键 词： | 高电荷态离子 空心原子 光谱 强度 |
| 文章编号： | 1672-2914(2005)02-0013-03 |
| 修稿时间： | 2004年10月18 |
400Ar10+ Incident Semiconductor Function Material of P- Si Solid Surface exciting Spectrums |
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| ZHANG Xiao-an WANG Xiang.400Ar10+ Incident Semiconductor Function Material of P- Si Solid Surface exciting Spectrums[J].Journal of Xianyang Normal University,2005,20(2):13-15. |
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| Authors: | ZHANG Xiao-an WANG Xiang |
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| Abstract: | The paper reported that the experiment results have been finished that the highly charged ion ~(40)Ar~(10 ) extracted from ECRIS impacted on p-type Si solid surface creating spectrums. The spectrums in range of 200nm to1000nm have been measured that of Si. The results shown that atomic and ions characteristic spectrums of solid surface were excited effectively. |
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| Keywords: | the highly charged ion hollow atom spectrum relative intensity |
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