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| InGaAs／InP雪崩二极管的温度一电压特性 | |
| 引用本文： | 李水峰,李宗书.InGaAs／InP雪崩二极管的温度一电压特性[J].中国科技信息,2009(11). |
| 作者姓名： | 李水峰 李宗书 |
| 作者单位： | [1]广东工业大学实验教学部,510006 [2]广东工业大学网络信息与现代教育枝术中心,510006 |
| 摘 要： | 用InGaAs／InP雪崩二极管进行单光子探测，其工作温度和偏置电压是影响InGaAs／InP单光子探测器探测性能的重要因素。介绍了基于ADN8851控制器控制半导体热电制冷器来实现红外单光子探测器的精密温度控制的方法；并分析了几组不同温度下光电流、暗电流一电压特性曲线，得出一些结论。 |
| 关 键 词： | ADN8831 单光子探测器 雪崩光电二极管 光电 流 暗电流 |
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