| 电子束辐照对Poly-SiO_2/Si结构平带电压的影响 |
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| 引用本文： | 向少华,谢茂浓,张明高.电子束辐照对Poly-SiO_2/Si结构平带电压的影响[J].怀化学院学报,2003,22(5):32-35. |
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| 作者姓名： | 向少华 谢茂浓 张明高 |
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| 作者单位： | 1. 怀化学院,物理系,湖南,怀化,418000
2. 四川大学,物理系,四川,成都,610064 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(编号29771024)和怀化学院院级资助科研项目. |
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| 摘 要： | 利用剂量为 10 13 cm～ 10 16 cm- 2 ,能量为 0 .4Mev～ 1.8Mev的电子束辐照Poly -SiO2 Si结构 ,对辐照后样品进行了C -V特性曲线测试 .测试结果表明 ,高能电子束辐照Poly -SiO2 Si结构引起的MOS电容平带电压随辐照剂量、能量的增加而发生漂移 ,但其漂移量低于同一实验环境中干氧氧化生长的SiO2 Si结构
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| 关 键 词： | 电子辐照效应 聚硅烷 平带电压 氧等离子体 |
| 文章编号： | 1671-9743(2003)05-0032-04 |
| 修稿时间： | 2003年5月15日 |
The Flat-band Voltage of Poly-SiO2/Si Structure Affected by Electron Irradiation |
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| XIANG Shao-hua ,XIE Mao-nong ,ZHANG Ming-gao.The Flat-band Voltage of Poly-SiO2/Si Structure Affected by Electron Irradiation[J].Journal of Huaihua University,2003,22(5):32-35. |
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| Authors: | XIANG Shao-hua XIE Mao-nong ZHANG Ming-gao |
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| Institution: | XIANG Shao-hua 1,XIE Mao-nong 2,ZHANG Ming-gao 2 |
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| Abstract: | The flat-band voltage of Poly-SiO 2/Si structure is investi ga ted by the high-frequency (1MHz) C-V technique after electron beam with flux fro m 10 13 cm -2 to 10 16 cm -2 and energy ranging from 0.4 Mev to1.8 Mev. It is shown that the flat-band voltage of Poly-SiO 2/Si struct ure shifts with the increasing of electron beam flux and energy, however, the sh ift of Poly-SiO 2/Si structure is much less than that of SiO 2/Si structure fo rmed by dry-oxygen at 1050° in the same experimental environment. |
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| Keywords: | electron irradiation polysilane flat-band voltage O 2- plasma |
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