二维六边形晶格SiO2光子晶体的制备及表征 |
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引用本文: | 蔡允高,董盈红,王孝民.二维六边形晶格SiO2光子晶体的制备及表征[J].保山学院学报,2012(5):15-18. |
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作者姓名: | 蔡允高 董盈红 王孝民 |
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作者单位: | 保山学院理工学院 |
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摘 要: | 通过改进的Stober法,以正硅酸乙酯为硅源,合成了尺寸为900nm左右的高质量单分散SiO2胶体颗粒;并以此为原材料,采用重力沉降法获得了二维六边形晶格SiO2光子晶体。表征分析显示所制备的SiO2光子晶体具有一定程度的缺陷且不具有完全光子带隙;采用平面波展开法对二维六边形晶格SiO2光子晶体不存在完全光子带隙进行数值计算验证。
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关 键 词: | SiO2微球 SiO2光子晶体 制备及表征 带隙计算 验证 |
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