| 功率芯片低空洞率真空共晶焊接工艺研究 |
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| 引用本文： | 贾耀平.功率芯片低空洞率真空共晶焊接工艺研究[J].中国科技信息,2013(8):125-126. |
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| 作者姓名： | 贾耀平 |
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| 作者单位： | 中国西南电子技术研究所,四川成都,610036 |
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| 摘 要： | 在功率混合电路中,对功率芯片的组装要求热阻小和可靠性高。在这方面传统的芯片组装方法如导电银浆粘接不能满足要求。本文介绍了一种新的功率芯片组装工艺--真空共晶焊接工艺,文章选用Au80Sn20焊料对毫米波GaAs功率芯片的焊接工艺进行了较为系统深入的研究,对焊接时气体保护、焊片大小、焊接压力、真空工艺过程的施加和夹具设计等因素进行了试验分析,并实现较高的焊接质量,X射线检测结果表明,GaAs功率芯片焊接具有较低的空洞率,焊透率高达90%以上。
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| 关 键 词： | 功率芯片 共晶焊接 低空洞率 真空 |
Studies of Low Voidage Vacuum Eutectic Welding Process of the Power Chip |
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| Jia Yaoping.Studies of Low Voidage Vacuum Eutectic Welding Process of the Power Chip[J].CHINA SCIENCE AND TECHNOLOGY INFORMATION,2013(8):125-126. |
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| Authors: | Jia Yaoping |
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| Institution: | Jia Yaoping Southwest China Institute of Electronic Technology,Chengdu 610036,China |
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