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ASIC设计流程中的典型问题研究
引用本文:章旌红,何剑春,陶东娅.ASIC设计流程中的典型问题研究[J].中国科技信息,2008(22).
作者姓名:章旌红  何剑春  陶东娅
作者单位:浙江工业大学信息工程学院,浙江杭州310032
摘    要:随着集成电路制造工艺的快速发展,系统芯片(SOC)及其功能ASIC模块的研究越来越引起关注。基于ASIC设计流程,讨论了当前ASIC设计中逻辑综合、易测性、低功耗等一些典型问题,并以工艺独立阶段和工艺映射阶段中ASIC综合需要解决的问题为研究重点,结合实例分析了其中的关键环节,以期作为高性能ASIC设计优化、可测性设计、设计验证等方向分析研究的前期工作。

关 键 词:ASIC设计  典型问题  设计流程  集成电路制造工艺  可测性设计  IC模块  逻辑综合  工艺映射
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