| Ga2O3/ITO/Ga2O3深紫外透明导电膜的研究 |
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| 引用本文： | 刘建军,闫金良,石亮,李爱丽.Ga2O3/ITO/Ga2O3深紫外透明导电膜的研究[J].职教论坛,2012,25(12). |
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| 作者姓名： | 刘建军 闫金良 石亮 李爱丽 |
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| 作者单位： | 鲁东大学,物理学院,山东,烟台,264025 |
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| 基金项目： | 鲁东大学创新团队建设项目基金 |
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| 摘 要： | 采用常压烧结方法制备了Ga2O3陶瓷靶,用X射线衍射仪、金相显微镜对Ga2O3陶瓷靶的结构和形貌进行了研究.用射频磁控溅射Ga2O3陶瓷靶材和直流磁控溅射ITO(锡铟氧化物)靶材分别制备了Ga2O3薄膜、Ga2O3/ITO/Ga2O3膜,用紫外-可见分光光度计、四探针测试仪对Ga2O3薄膜、Ga2O3/ITO/Ga2O3膜的光学透过率和电阻率进行了表征. Ga2O3薄膜不导电,光学带隙5.1eV;Ga2O3(45 nm)/ITO(14 nm)/ Ga2O3(45 nm)膜在300 nm处的光学透过率71.5%,280 nm处60.6%,电阻率1.48×10-2Ω.cm.ITO层的厚度影响Ga2O3/ITO/ Ga2O3膜的光电性质.
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| 关 键 词： | Ga2O3陶瓷靶材 深紫外透明导电膜 Ga2O3/ITO/Ga2O3膜 光电性质 |
Studies on Deep Ultraviolet Transparent Conductive Ga2O3/ITO/Ga2O3 Films |
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