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关于TTL与非门带灌电流负载能力的探讨
引用本文:邹华,王文凯.关于TTL与非门带灌电流负载能力的探讨[J].潍坊教育学院学报,2001,14(3):21-21,35.
作者姓名:邹华  王文凯
作者单位:潍坊教育学院,物理系,山东,青州,262500
摘    要:对TTL与非门带灌电流负载能力 ,很多教材认为V0 随IL 线性变化 ,且很缓慢。但我们通过实验证实 ,IL 较小时 ,V0与IL 成线性关系 ,但超过一定限度后 ,此关系不再成立。此为教学中的一项新发现。

关 键 词:TTL与非门  三极管  饱和  探讨
文章编号:1009-2080(2001)03-0021-01
修稿时间:2001年8月16日
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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