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| 一种低噪声放大器的输入匹配结构设计 | |
| 引用本文： | 王健.一种低噪声放大器的输入匹配结构设计[J].中国科技纵横,2010(5):18-18,14. |
| 作者姓名： | 王健 |
| 作者单位： | 电子科技大学,四川成都610054 |
| 摘 要： | 本文讨论了一种低噪声放大器输入匹配设计结构，能够在低功耗约束的条件下实现最佳噪声和最大功率传输的同时匹配。本文基于0．35μmSiGeCMOS工艺采用该方法设计了一个1．5GHz的低噪声放大器，仿真结果表明在工作频率点噪声系数为0．39dB．增益为1456dB，输入输出匹配状态良好，工作电压为3．3V时，功耗为17．9mW。 |
| 关 键 词： | 低噪声放大器 输入匹配 结构设计 最大功率传输 CMOS工艺 设计结构 噪声系数 仿真结果 |
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