|
|||||
|
|
| SiGe/Si基量子级联激光器的计算机模拟 | |
| 引用本文： | 薛岩频.SiGe/Si基量子级联激光器的计算机模拟[J].福建广播电视大学学报,2007(5). |
| 作者姓名： | 薛岩频 |
| 作者单位： | 福建广播电视大学龙岩分校 福建龙岩364000 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(10225420、90206039、20021002)，福建省自然科学基金资助项目(A0210019) |
| 摘 要： | 基于子带跃迁机理的Si/SiGe基量子级联激光器(QCL),理论上超越了Si基材料间接带特性对光跃迁的限制,成为最有希望实现的Si基光源,且其发射波长处于中远红外,覆盖了太赫兹波段。近几年来,对于Si/SiGe量子级联结构的能带设计、材料生长在理论上和实验上的研究都取得了较大的进展,Si/SiGe材料系的量子级联结构子带受激光发射已被实验所验证。有源区粒子数的反转取决于各个能态间和同一能带不同的平面动量的散射速率,载流子本身又容易受外界条件影响而被加热或被冷却,理解载流子的动力学过程是设计QCL的一个重要问题。 |
| 关 键 词： | Si/ SiGe QCL 计算机模拟 能带 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |