| 单晶硅缺陷的分析 |
| |
| 引用本文： | 钟丽菲.单晶硅缺陷的分析[J].湖南科技学院学报,2011,32(4):31-33. |
| |
| 作者姓名： | 钟丽菲 |
| |
| 作者单位： | 湖南科技学院,电子工程系,湖南永州,425100 |
| |
| 基金项目： | 永州市2010年度指导性科技项目 |
| |
| 摘 要： | 晶体硅中的杂质或缺陷会显著地影响各种硅基器件的性能。用常规化学腐蚀法显示出单晶硅中的缺陷,观察典型的位错。通过实验发现缺陷分布的一般规律:中间尺寸大,密度小,边缘尺寸小,密度大,验证缺陷对杂质的吸收。
|
| 关 键 词： | 单晶硅 缺陷 化学腐蚀法 消除与控制 |
Defects Analysis of Monocrystalline Silicon |
| |
| ZHONG Li-fei.Defects Analysis of Monocrystalline Silicon[J].Journal of Hunan University of Science and Engineering,2011,32(4):31-33. |
| |
| Authors: | ZHONG Li-fei |
| |
| Institution: | ZHONG Li-fei(Hunan University of Science and Engineering,Yongzhou,Hunan,425100 China) |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
