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| 沿染污介质表面放电的发展与抑制 | |
| 引用本文： | 张仁豫.沿染污介质表面放电的发展与抑制[J].中国科学基金,1996,10(3):186-193. |
| 作者姓名： | 张仁豫 |
| 作者单位： | 清华大学电机系,北京100084 |
| 摘 要： | 本文提出交直流电压下沿染污介质表面局部电弧发展方式是不同的,交流电弧发展至闪络的充分条件是,电弧熄灭后能恢复到过零前的状态,一般认为的重燃条件是不够的。提出交直流污闪电压的不同模型,交流电弧过零时有熄灭与不熄灭两种方式,提出不同的补充条件。测得局部电弧在临闪前弧长。弧径和弧温的变化过程,临界点的温度可高达14 000 K,已达钠元素的全电离点,影响污闪判据的因素是热而不是电场。交直流电压下的放电,都可能存在间隙被电弧桥接,导致污闪电后降低,还会引起直流污闪电压的极性差别。低气压下的染污放电电压随气压而降低,可用指数函数表示,其指数n<1,一般认为n受电压、结构和污秽度的影响。试验中发现,只当间隙距离不够时,结构和污移度的影响才明显。文中还介绍了我们研制成的以玻璃纤维为芯棒,高温硫化硅橡胶为伞套的棒型悬式合成绝缘子和低温硫化硅橡胶涂层,都具有优异的耐污性能,已有10年安全运行经验,现已形成生产能力。 |
| 关 键 词： | 污闪电压 恢复条件 极性效应 临界条件 低气压 合成绝缘子 |
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