| 对TTL与非门输入负载电阻特性的讨论 |
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| 引用本文： | 李正发,徐辉.对TTL与非门输入负载电阻特性的讨论[J].培训与研究,2006,23(2):59-60. |
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| 作者姓名： | 李正发 徐辉 |
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| 作者单位： | 湖北教育学院物理与电子信息工程系 武汉430205 |
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| 摘 要： | 本文在介绍TTL与非门工作原理的基础上,重点讨论了TTL与非门的输入负载电阻特性。为了保证工作在稳定状态,通过计算,得出了电路工作处于闭态允许输入的最大电阻和电路工作处于开态时允许输入的最小电阻。
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| 关 键 词： | 饱和状态 正向偏置 逻辑门 集成芯片 |
| 文章编号： | 1007-1687(2006)02-0059-02 |
| 收稿时间： | 10 11 2005 12:00AM |
| 修稿时间： | 2005年10月11 |
Discussion on the Input Load Resistance Characteristic of the TTL Nand Gate |
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| LI Zheng-fa,XU Hui.Discussion on the Input Load Resistance Characteristic of the TTL Nand Gate[J].Training and Research-Journal of Hubei College of Education,2006,23(2):59-60. |
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| Authors: | LI Zheng-fa XU Hui |
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| Abstract: | Based on the introduce of the operational principle of TTL nand gate,this article gives us a vital discussion of the input load resistance characteristic of the TTL nand gate,the maximum input resistance while the circuit in the closed position and the minimum input resistance while the circuit in the open state. |
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| Keywords: | saturation state forward bias logical gate integrated chip |
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