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0.9Pb(Sc_(0.5)Ta_(0.5))O_3-0.1PbTiO_3/PbTiO_3多层薄膜制备及铁电性研究
引用本文:李雪冬,刘洪,吴家刚,刘刚,肖定全,朱建国.0.9Pb(Sc_(0.5)Ta_(0.5))O_3-0.1PbTiO_3/PbTiO_3多层薄膜制备及铁电性研究[J].绵阳师范学院学报,2015(5):26-29.
作者姓名:李雪冬  刘洪  吴家刚  刘刚  肖定全  朱建国
作者单位:1. 绵阳师范学院物理与电子工程学院,四川绵阳 621000; 四川大学材料科学与工程学院,四川成都 610064
2. 四川大学材料科学与工程学院,四川成都,610064
3. 绵阳师范学院物理与电子工程学院,四川绵阳,621000
基金项目:绵阳师范学院科研课题项目
摘    要:以LaNiO3做缓冲层,用射频磁控溅射法在SiO2/Si(100)衬底上制备出0.9Pb(Sc0.5Ta0.5)O3-0.1PbTiO3/PbTiO3铁电多层薄膜.采用两步法在峰值温度750℃对薄膜进行退火.通过电滞回线和漏电流曲线对薄膜的铁电性能进行了测量.研究发现,原位生长的薄膜已经具备了较好的铁电性,这为(1-x)Pb(Sc0.5Ta0.5)O3-x0.1PbTiO3薄膜的低温制备提供了可能性.经过退火后,薄膜的铁电性略有下降,高温下铅的损失可以很好的解释这一现象.

关 键 词:多层薄膜  铁电性  电滞回线  退火

Preparation and Ferroelectric Properties of 0. 9Pb(Sc0. 5 Ta0. 5)O3 - 0. 1PbTiO3/PbTiO3 Multilayer Thin Films
LI Xue-dong,LIU Hong,WU Jia-gang,LIU Gang,XIAO Ding-quan,ZHU Jian-guo.Preparation and Ferroelectric Properties of 0. 9Pb(Sc0. 5 Ta0. 5)O3 - 0. 1PbTiO3/PbTiO3 Multilayer Thin Films[J].Journal of Mianyang Normal University,2015(5):26-29.
Authors:LI Xue-dong  LIU Hong  WU Jia-gang  LIU Gang  XIAO Ding-quan  ZHU Jian-guo
Abstract:
Keywords:multilayer thin films  ferroelectric properties  P - E loops  annealing
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