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硅基电感模型中衬底涡流效应和分布效应分析(英文)
引用本文:武锐,廖小平,张志强,杨乐.硅基电感模型中衬底涡流效应和分布效应分析(英文)[J].东南大学学报,2009,25(1).
作者姓名:武锐  廖小平  张志强  杨乐
作者单位:东南大学MEMS教育部重点实验室,南京,210096  
基金项目:国家自然科学基金,国家高技术研究发展计划(863计划) 
摘    要:提出了衬底涡流影响因子和分布效应发生频率的概念,该概念能够准确地反映衬底涡流效应和分布效应与衬底电阻率、电感线圈长度等参数的关系.一个制作在低阻硅和高阻硅衬底上的6圈,线圈长度为3060μm的电感,其衬底涡流影响因子分别为0.3和0.04,分布效应发生频率分别为1.5 GHz和14.5 GHz.实验表明,低阻硅上该电感的等效电路模型必须包含衬底涡流效应和分布效应;而高阻硅上该电感的等效电路模型可以不包含衬底涡流效应和分布效应(测试范围为0.1~12 GHz),其简化等效电路模型仍具有较高的精度,误差在7%之内.

关 键 词:平面电感  衬底涡流效应  分布效应  等效电路模型

Analysis of substrate eddy effects and distribution effects in silicon-based inductor model
Wu Rui Liao Xiaoping Zhang Zhiqiang Yang Le.Analysis of substrate eddy effects and distribution effects in silicon-based inductor model[J].Journal of Southeast University(English Edition),2009,25(1).
Authors:Wu Rui Liao Xiaoping Zhang Zhiqiang Yang Le
Institution:Key Laboratory of MEMS of Ministry of Education;Southeast University;Nanjing 210096;China
Abstract:
Keywords:planar spiral inductors  substrate eddy effects  distribufion effects  equivalent circuit model
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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