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| H2+杂质半导体量子点激发态能级的计算 | |
| 引用本文： | 惠萍.H2+杂质半导体量子点激发态能级的计算[J].广东教育学院学报,2013(3):36-40. |
| 作者姓名： | 惠萍 |
| 作者单位： | 广东第二师范学院物理系 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(10574163);国家自然科学基金资助项目(8151030301000004) |
| 摘 要： | 用B样条技术计算H2+杂质半导体量子点激发态能级.计算结果显示:当两核距离D较小时,激发态能级E对两核距离D的变化很敏感;当两核距离D较大时,E——D曲线上升变缓,激发态能级对D的变化敏感度下降.基态1sσg和激发态2pσu2pπu3dσg3dπg所有E——R曲线随R的增大快速下降,量子尺寸效应显著.通常情况下,D越大,E——R曲线越高.但2pσu的E——R曲线很奇怪,曲线之间出现交叉现象. |
| 关 键 词： | H2+杂质半导体量子点 Born-Oppenheimer近似 B-spline技术 |
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