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| 电子束蒸发制备Si基Al膜及其性能的研究 | |
| 引用本文： | 邱达.电子束蒸发制备Si基Al膜及其性能的研究[J].大众科技,2010(5):115-116. |
| 作者姓名： | 邱达 |
| 作者单位： | 武汉大学,湖北,武汉,430072 |
| 摘 要： | 利用硅基阳极氧化铝(AAO)模板制备的一维纳米管线在光电子学和磁存储领域有广阔的应用前景而硅基Al膜的制备是硅基AAO模板制备的前提。硅基Al膜的形貌,晶态结构,电阻率和剩余应力等都会影响硅基AAO模板的自组装过程。利用电子束蒸发在硅衬底上制备了一系列的Al膜,研究了沉积速率和薄膜厚度对硅基Al膜的形貌,晶态结构,电阻率等性能的影响和规律。 |
| 关 键 词： | 硅基Al膜 电子束蒸发 AAO模板 沉积速率 薄膜性能 |
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