| 宽带CMOS LC压控振荡器设计及相位噪声分析 |
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| 引用本文： | 郭雪锋,王志功,李智群,唐路.宽带CMOS LC压控振荡器设计及相位噪声分析[J].东南大学学报,2008,24(4). |
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| 作者姓名： | 郭雪锋 王志功 李智群 唐路 |
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| 作者单位： | 东南大学射频与光电集成电路研究所 |
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| 摘 要： | 应用标准0.18μm CMOS工艺设计并实现了宽带交叉耦合LC压控振荡器.采用开关电容阵列拓宽频率范围.设计过程中对相位噪声进行了优化.应用线性时变模型(LTV)推导出相位噪声与MOS晶体管宽长比之间的函数关系,从理论上给出相位噪声性能最优的元件参数取值范围.为简化推导过程,针对电路特点按晶体管工作状态来细分电路工作区域,从而避免了大量积分运算,以尽可能简单的比例形式得到相位噪声与设计变量间的函数关系.测试结果表明,在1.8V电源电压下,核心电路工作电流为8.8mA,压控振荡器的频率范围为1.17 ～1.90GHz,10kHz频偏处相位噪声达到-83dBc/Hz.芯片面积为1.2mm×0.9mm.
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| 关 键 词： | 压控振荡器 宽频带 相位噪声 |
Wideband CMOS LC VCO design and phase noise analysis |
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| Guo Xuefeng,Wang Zhigong,Li Zhiqun,Tang Lu.Wideband CMOS LC VCO design and phase noise analysis[J].Journal of Southeast University(English Edition),2008,24(4). |
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| Authors: | Guo Xuefeng Wang Zhigong Li Zhiqun Tang Lu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | voltage controlled oscillator(VCO) wideband phase noise |
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