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| 电子束蒸发挖坑效应膜厚均匀性的计算新方法 | |
| 引用本文： | 付学成,张洪波,权雪玲,王凤丹,李进喜.电子束蒸发挖坑效应膜厚均匀性的计算新方法[J].实验室研究与探索,2018(3). |
| 作者姓名： | 付学成 张洪波 权雪玲 王凤丹 李进喜 |
| 作者单位： | 上海交通大学先进电子材料与器件校级平台;常州大学数理学院 |
| 摘 要： | 环形锥面蒸发源模型对沉积膜厚均匀性计算有局限性。针对电子束蒸发镀膜挖坑效应设计一种新的小圆锥体蒸发模型,提出一种新的公式计算沉积膜厚均匀性。采用相同工艺条件,不同时间蒸镀二氧化硅薄膜,验证了小圆锥体模型计算电子束蒸发挖坑膜厚均匀性准确可靠,并成功解释了随着蒸发时间的延长,均匀性变差的原因。该方法可以用于实验教学,真空镀膜工艺以及真空镀膜设备生产领域。 |
| 关 键 词： | 电子束蒸发 挖坑效应 真空镀膜设备 膜厚 |
A New Calculating Method for Digging Effect on Thickness Uniformity of Films |
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