| 低输出功率应用的E类CMOS功率放大器设计(英文) |
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| 引用本文： | 袁成,李智群,刘继华,王志功.低输出功率应用的E类CMOS功率放大器设计(英文)[J].东南大学学报,2009,25(2):180-184. |
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| 作者姓名： | 袁成 李智群 刘继华 王志功 |
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| 作者单位： | 东南大学射频与光电集成电路研究所,南京,210096 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 利用标准的0.18μm6层金属混合信号/射频CMOS工艺设计了一种工作在2.4 GHz频段的全集成E类功率放大器.电路采用两级放大器级联结构,其中驱动级利用谐振技术生成高摆幅开关信号;输出级采用E类结构实现了信号的功率放大.在1.2 V电源电压下,设计的功率放大器最高输出功率为8.8 dBm,功率附加效率(PAE)达到44%.同时,提出了一种E类功率放大器功率控制方法.通过改变进入E类开关晶体管的信号幅度和占空比,在3位数字控制字的控制下,输出功率达到-3～8.8 dBm.所设计的功率放大器可以满足诸如无线传感网络(WSN)和生物遥测等低功率系统的应用.
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| 关 键 词： | 类功率放大器 CMOS工艺 低功率应用 |
Design of CMOS class-E power amplifier for low power applications |
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| Yuan Cheng Li Zhiqun Liu Jihua Wang Zhigong.Design of CMOS class-E power amplifier for low power applications[J].Journal of Southeast University(English Edition),2009,25(2):180-184. |
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| Authors: | Yuan Cheng Li Zhiqun Liu Jihua Wang Zhigong |
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| Institution: | Yuan Cheng Li Zhiqun Liu Jihua Wang Zhigong(Institute of RF-& OE-ICs,Southeast University,Nanjing 210096,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | E class-E power amplifier complementary metal-oxide-semiconductor transistor(CMOS) technology low power applica-tion |
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