HFCVD法制备SiC薄膜的研究期刊界 All Journals 搜尽天下杂志传播学术成果专业期刊搜索期刊信息化学术搜索

按检索

HFCVD法制备SiC薄膜的研究

摘要：	用热丝化学汽相淀积法以硅烷、甲烷、氢气为源气,在低温下沿Si(111)晶面异质生长SiC薄膜。用XRD法对生成的SiC薄膜进行分析检测。实验表明在钨丝温度为1900℃,钨丝到衬底的距离为0.8cm时可生成优质的SiC薄膜。
本文献已被 CNKI 等数据库收录！