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| 纳米硅变温光致发光谱的研究 | |
| 引用本文： | 苏雄睿,周张凯,翟月英,李敏,宋浩.纳米硅变温光致发光谱的研究[J].科协论坛,2007(4):15-16. |
| 作者姓名： | 苏雄睿 周张凯 翟月英 李敏 宋浩 |
| 作者单位： | 苏雄睿（武汉大学物理科学与技术学院,湖北·武汉,430072）;周张凯（武汉大学物理科学与技术学院,湖北·武汉,430072）;翟月英（武汉大学物理科学与技术学院,湖北·武汉,430072）;李敏（武汉大学物理科学与技术学院,湖北·武汉,430072）;宋浩（武汉大学物理科学与技术学院,湖北·武汉,430072） |
| 摘 要： | 研究了纳米硅在3K-250K温度范围的光致发光谱的特性。观测到纳米硅的三个发光峰,其中心波长分别为470nm、479nm和487nm。随着温度的升高,470nm的发光峰呈现蓝移且强度明显增强,479nm的发光峰位不随温度的变化而变化,487nm的发光峰随温度的升高出现微小的红移。基于量子限制效应,提出综合发光模型解释实验结果。 |
| 关 键 词： | 纳米硅 光致发光 量子限制效应 |
| 文章编号： | 1007-3973(2007)04-009-02 |
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