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宽光谱窄带隙太阳电池微晶锗孵化层制备研究

引用本文：	曹丽冉,张媛.宽光谱窄带隙太阳电池微晶锗孵化层制备研究[J].黑龙江科技信息,2018(27).

作者姓名：	曹丽冉张媛

作者单位：	国家知识产权局专利局专利审查天津中心

摘要：	采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,探索性研究制备μc-Ge:H薄膜的基本沉积参数,通过一系列处理技术实现了高晶化率超薄μc-Ge:H薄膜的制备,有效拓展了太阳电池的光谱响应范围。
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