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磁控溅射沉积TiN薄膜工艺优化
摘    要:磁控溅射TiN薄膜的力学和腐蚀性能与薄膜的结构密切相关,而其结构又取决于薄膜的制备工艺.采用正交实验方法对影响TiN薄膜结构和性能的重要参数如电流、负偏压、氮流量和基体温度等进行优化,以期获得更优的制备工艺条件.实验结果显示,其对TiN薄膜纳米硬度影响由大到小的次序为:基体温度负偏压电流氮流量;对膜/基结合力的影响由大到小的顺序为:基体温度氮流量电流负偏压.综合考虑TiN薄膜的纳米硬度和膜/基结合力,获得的最优方案为:基体温度300℃,电流0.2A,负偏压-85V,标准状态下氮流量4mL/min.

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