| ZrO_2纳米晶尺寸及密度对电荷存储器件性能的影响 |
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| 引用本文： | 汤振杰,李荣.ZrO_2纳米晶尺寸及密度对电荷存储器件性能的影响[J].安阳师范学院学报,2013(2). |
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| 作者姓名： | 汤振杰 李荣 |
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| 作者单位： | 1. 安阳师范学院物理与电气工程学院,河南安阳,455000
2. 安阳师范学院数学与统计学院,河南安阳,455000 |
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| 基金项目： | 河南省教育厅科学技术研究重点项目 |
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| 摘 要： | 利用脉冲激光沉积方法制备了ZrO2纳米晶基电荷俘获型存储器件,并系统研究了纳米晶尺寸及密度对器件存储性能的影响。利用高分辨透射电子显微(HRTEM)技术表征了(ZrO2)0.6(SiO2)0.4薄膜的形貌及纳米晶尺寸。研究结果表明60s退火处理的存储器件具有最佳的存储窗口(4.4V)和数据保持能力(～5%)。
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| 关 键 词： | 高介电常数 ZrO纳米晶 电荷存储 脉冲激光沉积 |
Effect of ZrO2 Nanocrystallites Size and Density on the Storage Characteristics of Charge Trapping Memory Device |
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| TANG Zhen-jie
,
LI Rong.Effect of ZrO2 Nanocrystallites Size and Density on the Storage Characteristics of Charge Trapping Memory Device[J].Journal of Aayang Teachers College,2013(2). |
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| Authors: | TANG Zhen-jie LI Rong |
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