| 硅基纳米结构的发光 |
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| 引用本文： | 袁放成.硅基纳米结构的发光[J].泉州师范学院学报,2005,23(4):30-33. |
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| 作者姓名： | 袁放成 |
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| 作者单位： | 泉州师范学院,物理系,福建,泉州,362000 |
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| 基金项目： | 福建省教育厅项目（JB02188） |
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| 摘 要： | 测量了掺Er氧化硅、掺Er富硅氧化硅、掺Er氮化硅和掺Er富硅氮化硅这四种薄膜室温下的光致发光谱，这四种薄膜在光激发下都具有Er^3＋离子的1．54μm峰位,Er^3＋离子1．54μm的峰强度与薄膜的退火温度有关，这些薄膜都分别在600℃、700℃、800℃、900℃、1000℃、1100℃的温度下同时退火，发现两种富硅薄膜的强度比不富硅薄膜的1.54μm峰强度要强。
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| 关 键 词： | 发光 纳米结构 纳米硅粒 |
| 文章编号： | 1009-8224(2005)04-0030-04 |
| 收稿时间： | 06 13 2005 12:00AM |
| 修稿时间： | 2005年6月13日 |
Luminescence from Nanoscale Silicon-based |
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| YUAN Fang-cheng.Luminescence from Nanoscale Silicon-based[J].Journal of Quanzhou Normal College,2005,23(4):30-33. |
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| Authors: | YUAN Fang-cheng |
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| Institution: | Department of Physies,Quanzhou Normal University, Fujian 362000,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | luminescence nanostructures silicon nanoparticles |
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