| 纳米碳化硅半导体材料光致发光特性的研究进展 |
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| 引用本文： | 孙运涛.纳米碳化硅半导体材料光致发光特性的研究进展[J].嘉应学院学报,2004,22(6):26-28. |
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| 作者姓名： | 孙运涛 |
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| 作者单位： | 嘉应学院物理系,广东,梅州,514015 |
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| 摘 要： | 概述了纳米碳化硅半导体材料,如采用各种成膜技术在硅衬底上制备的纳米碳化硅(nc-SiC:H)膜,镶嵌在各种介质如(α-SiC:H、SiO2或ZSM-5中的纳米晶碳化硅的光致发光特性及其最近研究进展
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| 关 键 词： | 纳米碳化硅 光致发光 发光机制 |
| 文章编号： | 1006-642X(2004)06-0026-03 |
| 修稿时间： | 2004年8月7日 |
Recent Advances in Photoluminescence of Nanometer Silicon Carbide Semiconductor Materials |
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| SUN Yun-tao.Recent Advances in Photoluminescence of Nanometer Silicon Carbide Semiconductor Materials[J].Journal of Jiaying University,2004,22(6):26-28. |
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| Authors: | SUN Yun-tao |
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| Abstract: | This review describes recent advances in photoluminescence of nanometer silicon carbide semiconductor materials,such as nc-SiC:H films prepared by all kinds of films preparation technology and nc-SiC embedded in α-SiC:H?SiO_2 or ZSM-5. |
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| Keywords: | SiC photoluminescence light-emitting mechanism |
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