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| Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_2铁电薄膜的制备和性能研究 | |
| 引用本文： | 李晨雨,朱俊,陈欢文.Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_2铁电薄膜的制备和性能研究[J].重庆职业技术学院学报,2014(3):149-151. |
| 作者姓名： | 李晨雨 朱俊 陈欢文 |
| 作者单位： | 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都610054 |
| 摘 要： | 运用脉冲激光沉积方法,在Pt(111)基片上沉积制备Hf0.5Zr0.5O2铁电薄膜。通过对X射线衍射(XRD)分析表明,薄膜的正交相随衬底温度升高而增强,随薄膜厚度增加而减小。P-E电滞回线实验表明,提高衬底温度有助于增强薄膜铁电性能。400℃氧气中原位退火后薄膜剩余极化(2Pr)达到8μC/cm2。5V以下薄膜漏电流密度为3.2×10-6A/cm2。Hf0.5Zr0.5O2薄膜的疲劳特性测试表明,在经过2×109次反转后可参与翻转总极化值有一定下降。 |
| 关 键 词： | 脉冲激光沉积 Hf.Zr.O薄膜 铁电 XRD 疲劳测试 |
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