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| 溅射气压对Al掺杂ZnO薄膜光电性能的影响 | |
| 作者单位： | ;1.三明学院机电工程学院 |
| 摘 要： | 采用射频磁控溅射技术,在常温状态下在玻璃衬底上制备了Al掺杂ZnO透明导电薄膜.利用XRD和AFM分别对薄膜的晶体结构和表面微观形貌进行了表征,利用紫外-可见分光光度计和霍尔效应测试仪对薄膜的光电性能进行了测试,并分析讨论了不同溅射气压对Al掺杂ZnO薄膜结构、形貌和光电性能的影响.结果表明,在本实验条件下制备的薄膜均为良好的c轴择优取向;在可见光范围内样品的平均透过率都高于85%;在溅射气压为1.2Pa时,薄膜的结晶度、电阻率和透过率都达到了最佳值. |
| 关 键 词： | 磁控溅射 Al掺杂ZnO薄膜 溅射气压 电阻率 透过率 |