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| Si中S深能级的进一步研究 | |
| 引用本文： | 刘磁辉,陈建新,赵学恕,孙璟兰,李名复.Si中S深能级的进一步研究[J].中国科学院研究生院学报,1989(2). |
| 作者姓名： | 刘磁辉 陈建新 赵学恕 孙璟兰 李名复 |
| 作者单位： | 中国科技大学物理系，北京工业大学无线电系，中国科学院半导体所，科大研究生院物理教学部，科大研究生院物理教学部 |
| 基金项目： | 中国科学院科学基金资助课题 |
| 摘 要： | 用电流DLTS方法测量了N型Si中S形成的E_1—E_5 5个深能级。除E_1,E_2能级对应过去报争的S双施主外,E_3=E_c-0.31ev,E_4=E_c-0.16ev,E_5=E_c-0.15ev,可能是S对或S团形成的深能级。E_3,E_4能级的电子俘获截面约为10~(-16)cm~2,并与温度关系不大。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |